Desarrollan una memoria 1.000 veces más rápida que la flash

EducacionIT

6 agosto, 2015

El último avance en este campo sucedió en 1989, cuando comenzó la era de la tecnología de almacenamiento empleada en la actualidad por smartphones, tabletas y notebooks de alta gama.

Los fabricantes de chips Intel y Micron Technologies anunciaron que la nueva tecnología 3D XPoint tiene enorme potencial, pero algunos advierten que no se usará pronto en productos de consumo.

La llamada memoria flash ya es más veloz que los lectores de disco que todavía se utilizan en muchas computadoras portátiles y de escritorio.

La nueva memoria, desarrollada en conjunto por Intel y Micron, utiliza un diseño de chip tridimensional que permite que las computadoras almacenen y recuperen partes individuales de información más rápido que con la tecnología flash.

Además de ser 1000 veces más rápida que la NAND (flash), las compañías dijeron que la nueva tecnología también tiene 10 veces la capacidad de almacenamiento que otro formato, conocido como DRAM o memoria dinámica de acceso aleatorio, que puede ser más rápido pero más caro que flash. Dicen que otro beneficio es que 3D XPoint no requiere un constante flujo de energía, a diferencia del DRAM.

Intel y Micron explicaron que la nueva tecnología puede ayudar a grandes organizaciones a analizar grandes cantidades de datos, así como mejorar el desempeño de PC y otros dispositivos de consumo.

Pero el analista tecnológico Martin Reynolds, de la empresa de investigación Gartner, advirtió que los avances en tecnología de memoria se detuvieron a causa de obstáculos técnicos y económicos.

Las grandes compañías como Google y Facebook estarán deseosas de probar la nueva memoria en sus centros de datos, predijo Reynolds. Pero agregó que la memoria flash será la tecnología dominante en aparatos de consumo «durante un tiempo».

Fuente: http://www.infobae.com/